[发明专利]使用化学抑制对膜进行保形性调节

摘要

提供了在原子层沉积(ALD)中用于金属氧化物膜的保形性调节的方法和系统。一些示例性方法使用化学抑制。用于执行这种方法的示例系统包含：室；前体气体源；抑制前体气体源；具有相应的气流路径的一或更多注射器，其各自具有能连接至所述前体气体源或所述抑制前体气体源的入口，且适合于单独地或与另一注射器一起使前体气体在多个区域中的第一区域中以第一气体流率输送至所述室中以便以第一沉积速率形成第一膜，并且适合于在所述多个区域中的相同区域或第二区域中以第二气体流率输送抑制前体气体以抑制所述第一膜的生长。