[发明专利]激光退火装置、激光退火方法以及有源矩阵基板的制造方法在审
| 申请号： | 201880090243.5 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN111788658A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 野寺伸武;井上智博;小岩真司;道中悟志 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 王娟 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种激光退火装置(100)具有向载物台(20)的照射区域R1射出多个激光束LB的激光照射装置(10)，激光照射装置具有：激光装置，其射出激光束LA；以及聚光单元30，其具有微透镜阵列(34)和掩膜(32)，接受来自激光装置的激光束，并在照射区域R1内形成多个激光束各自的聚光点，其中，所述微透镜阵列(34)具有排列成m行n列的多个微透镜(34A)，所述掩膜32具有多个开口部(32A)，多个激光束是由m行n列的微透镜中的p行q列的微透镜(p＜m或q＜n)来形成的p行q列的激光束，激光照射装置还具有摆动机构，其改变聚光单元(30)和照射区域R1之间的配置关系，使得从m行n列的微透镜中能够选择至少2个不同的p行q列的微透镜组。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 方法 以及 有源 矩阵 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
