[发明专利]碳化硅半导体装置、电力变换装置和碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880090375.8 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111819696A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 野口宗隆 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 何杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在SiC‑MOSFET中难以在减小沟道电阻的状态下提高阈值电压，如果降低沟道电阻，作为常关型的器件使用的情况下在关时电流也流动而误动作等，有时可靠性降低。根据本发明，通过在SiCMOSFET的沟道区域中添加硫、硒、碲中的至少任一者，从而在减小沟道电阻的状态下提高阈值电压，能够提高作为常关型的器件使用时的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 电力 变换 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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