[发明专利]硅晶片的翘曲量的预测方法及硅晶片的制备方法有效
| 申请号： | 201880090382.8 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111971781B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 高奉均;高田康佑 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提出可考虑氧的影响而预测对硅晶片实施热处理时产生的翘曲量的方法和硅晶片的制备方法。预测在对硅晶片实施热处理时产生的翘曲量的方法，其特征在于，根据上述热处理中的硅晶片的应变的变化率和可动位错密度的变化率求得可动位错密度、应力和应变的时间演变，将其作为翘曲量，基于求得的应变的时间演变求得硅晶片的塑性变形量，设A、L |
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| 搜索关键词： | 晶片 翘曲量 预测 方法 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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