[发明专利]用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺有效
| 申请号： | 201880090408.9 | 申请日： | 2018-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN111788165B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 彼得·J·盖尔西奥;保罗·维斯特法尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;C04B41/49;C04B41/87;C04B41/00;C23C16/32;C04B111/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及所述涂覆碳化硅的主体用于制造用于高温应用、基座和反应器、半导体材料以及晶片的制品的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 碳化硅 主体 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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