[发明专利]OLED微腔设计与优化方法在审
| 申请号： | 201880090634.7 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN112514102A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | J·坎贝尔;程嘉琦;J·佩克汉姆 | 申请（专利权）人： | 阿瓦龙全息照相技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L33/10;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人： | 周积德 |
| 地址： | 加拿大纽芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在当前和将来的技术中，对光场显示器中的光源的发射特性的控制为所得的3D显示质量带来了很大的好处。详细介绍了适用于任何波长的微腔OLED的设计系统，该系统将理论背景与FDTD优化相结合，从而允许设计任何OLED配置的微腔。将用这种方法设计和制造的微腔OLED的所得输出轮廓与标准OLED进行比较，可以减少光谱带宽，减小角度输出。 | ||
| 搜索关键词： | oled 设计 优化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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H01L51-54 .. 材料选择
