[发明专利]基板处理装置、反应管形状测定方法以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880091652.7 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111902919A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 竹胁基哉;谷山智志 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;杜嘉璐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 基板的位置精度对在基板制得的膜的均匀性产生的影响增大，产生了如下状况：即使将基板与晶舟的中心轴对齐地插入反应管，也很难说放置于反应管的中心轴。因此，需要基于反应管等的实际的安装尺寸，将晶圆载置于适当的位置，提高处理的均匀性。因此，具有：晶舟(21)，其载置多个基板；处理炉(2)，其具有反应管(4)且晶舟插入反应管，进行对载置于晶舟的基板的成膜；以及基板移载机(125)，其将基板搬入晶舟，基板移载机以反应管的假想中心轴为基准将基板搬入晶舟。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 反应 形状 测定 方法 以及 半导体 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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