[发明专利]放射线检测元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201880091974.1 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN111937163A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 山田浩平;村上幸司;野田朗 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;G01T1/24 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种放射线检测元件，在由包含碲化镉或碲化锌镉的化合物半导体晶体构成的基板(200)的表面具备多个电极部(202)和电极间的绝缘部(201)，在所述多个电极部(202)与基板(200)之间存在包含碲的氧化物的中间层(204)，将距离所述电极间的绝缘部(201)的端部500nm内侧的碲氧化物层的厚度设为100nm以下，电极的密合性高，即使在为了得到高清晰的放射线描绘图像而制成电极间的间隔窄的放射线检测元件的情况下，也不会产生由多个电极间的绝缘不充分引起的性能不良。 | ||
| 搜索关键词： | 放射线 检测 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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