[发明专利]用于进行图案化的高品质C膜的脉冲等离子体(DC/RF)沉积在审
| 申请号： | 201880092808.3 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112041481A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | E·文卡塔苏布磊曼聂;杨扬;P·曼纳;K·拉马斯瓦米;T·越泽;A·B·玛里克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/503 | 分类号： | C23C16/503;C23C16/505;C23C16/26;H01L21/033;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及用于使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将非晶碳层沉积到基板上、包括沉积在所述基板上的先前形成的层上方的方法，具体而言，本文中描述的方法利用RF AC功率和脉冲DC功率的组合来产生等离子体，所述等离子体以sp3(类金刚石)碳与sp2(类石墨)碳的高比率来沉积非晶碳层。所述方法还提供了较低处理压力、较低处理温度和较高处理功率，以上各项中的每一者单独地或组合地可进一步增大在所沉积的非晶碳层中sp3碳的相对分数。由于较高的sp3碳分数，与通过常规方法沉积的非晶碳层相比，本文中描述的方法提供了具有改进的密度、刚度、蚀刻选择性和膜应力的非晶碳层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 进行 图案 品质 脉冲 等离子体 dc rf 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
