[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201880094166.0 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN112640130A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡武卫;高伟程;晏国文 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管(10)，包括衬底(11)及氧化物半导体层(14)，氧化物半导体层(14)设于衬底(11)上，氧化物半导体层(14)包括沟道部(141)、第一接触部(143)及第二接触部(145)，沟道部(141)连接于第一接触部(143)与第二接触部(145)之间，沟道部(141)至少部分朝向远离衬底(11)的方向凸起。还提供了一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板、显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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