[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201880094419.4 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN112292751A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 大田裕之;井上智博;今西康太;松岛吉明;高仓良平 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 叶乙梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 薄膜晶体管包括支承于基板的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘层、配置于栅极绝缘层上且包含多晶硅区域p的半导体层，多晶硅区域p具有：半导体层，其包括第一区域Rs、第二区域Rd、以及位于第一区域与第二区域之间的沟道区域Rc；源电极s，其与第一区域电连接；漏电极d，其与第二区域电连接，保护绝缘层，其配置于半导体层与源电极及漏电极之间；i型半导体层，其以与沟道区域的一部分直接接触的方式配置于保护绝缘层与沟道区域之间，由本征的半导体构成；以及侧壁，其配置于保护绝缘层的侧面，i型半导体层具有比多晶硅区域大的带隙，当从基板的法线方向观察时，i型半导体层与第一区域之间以及i型半导体层与第区域之间，侧壁与沟道区域直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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