[发明专利]存储装置在审
| 申请号： | 201880094520.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112262475A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 内村康宏;滨田龙文;五月女真一;九鬼知博;大岛康礼;有隅修 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L21/336;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提高存储装置的成品率。实施方式的存储装置具备：衬底(100)；结构体(50)，包含积层在衬底(100)上的多个导电层(70)；以及柱(MP)，设置在结构体(50)内，且包含朝相对于衬底(100)的表面垂直的方向延伸的半导体层(82)；且半导体层(82)包含第1部分(820)、以及第1部分(820)与衬底(100)之间的第2部分(824)，第1部分(820)的膜厚(T1)比所述第2部分(822)的膜厚(T2)厚。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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