[发明专利]无过量噪声的线性模式雪崩光电二极管有效
申请号: | 201880095173.2 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN112335059B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | W·K·陈 | 申请(专利权)人: | 斯坦福国际研究院 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/18 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 魏利娜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种线性模式雪崩光电二极管通过以下方式来感测光并输出电流:被配置为生成等于或大于1000倍放大的增益,同时由于来自放大的增益而引起的生成的过量噪声因子小于处于非低温温度或高于非低温温度时存在的热噪声的3倍。该线性模式雪崩光电二极管通过使用超晶格结构检测光中的一个或多个光子,对于线性模式雪崩光电二极管中的第一载流子,该超晶格结构被匹配以抑制碰撞电离,而对于第二载流子,进行以下中的至少一项:1)增加碰撞电离,2)基本上保持碰撞电离,以及3)在较小程度上抑制碰撞电离。其碰撞电离被抑制的第一载流子是i)电子或ii)空穴;并且然后第二载流子是电子或空穴。 | ||
搜索关键词: | 过量 噪声 线性 模式 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的