[发明专利]阵列基板及其制造方法及显示装置在审
| 申请号： | 201880095907.7 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112640106A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 高伟程;蔡武卫 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种阵列基板及其制造方法及显示装置，其中阵列基板的制造方法包括：在基底(2)上形成第一有源层(18)；在所述第一有源层(18)上形成栅绝缘层(6)；在所述栅绝缘层(6)上同时形成第一栅电极(16)和第二栅电极(28)；在所述第一栅电极(16)和所述第二栅电极(28)上同时形成所述层间绝缘层(5)；在所述层间绝缘层(5)上形成第二有源层(26)，通过利用同一种制备工艺，不同的材料制备而成所述第一有源层(18)和所述第二有源层(26)，进而在一种阵列基板上得到具有不同器件特性的薄膜晶体管器件，提高了生产效率，同时利于布局空间的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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