[发明专利]大气压等离子体发生装置有效
| 申请号： | 201880096124.0 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN112543990B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 神藤高广 | 申请（专利权）人： | 株式会社富士 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨青;安翔 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 目的在于提供能够抑制NOx的产生的大气压等离子气体发生装置。大气压等离子体发生装置具备用于加热从产生等离子体的反应室喷出的等离子气体的加热器。控制装置基于由NOx传感器输出的信号控制加热器，以使NOx浓度为阈值以下。由此，能够将NOx的生成量限制为阈值以下。 | ||
| 搜索关键词： | 大气压 等离子体 发生 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
