[发明专利]减少装置覆盖误差在审
申请号: | 201880096131.0 | 申请日: | 2018-07-30 |
公开(公告)号: | CN112514039A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | L·叶鲁舍米;R·弗克维奇 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供过程控制方法、计量目标及生产系统以减少或消除过程覆盖误差。计量目标具有一(多)对具有不同分段的周期结构,例如,在所述对的一个周期结构中无分段,而在所述对的另一周期结构中具有类似装置的分段。过程控制方法直接在先前层处的所述周期结构的生产之后及在当前层处的所述周期结构的生产之前从所述先前层处的所述周期结构导出计量测量,并使用所述导出的测量来调整作为所述当前层的生产的一部分的光刻阶段。生产系统将光刻工具及计量工具集成到生产反馈回路中,所述生产反馈回路实现了逐层过程调整。 | ||
搜索关键词: | 减少 装置 覆盖 误差 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造