[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201880096617.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN112567512B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王新胜;张莉;张高升;万先进;华子群;王家文;丁滔滔;朱宏斌;程卫华;杨士宁 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；位于所述第一基底表面的第一粘附层；位于所述第一粘附层表面的第一键合层，所述第一粘附层的致密度大于所述第一键合层的致密度。所述半导体结构的第一粘附层与所述第一基底以及第一键合层之间具有较高的粘附性，有利于提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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