[发明专利]用于评估晶片的有缺陷区域的方法在审
| 申请号： | 201880096768.X | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN112585734A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李在炯 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实施例包括：用于制备样本晶片的步骤；用于在700‑800℃的温度下在样本晶片上形成第一氧化物膜的步骤；用于在800‑1000℃的温度下在第一氧化物膜上形成第二氧化物膜的步骤；用于在1000‑1100℃的温度下在第二氧化物膜上形成第三氧化物膜的步骤；用于在1100‑1200℃的温度下在第三氧化物膜上形成第四氧化物膜的步骤；用于移除第一至第四氧化物膜的步骤；用于通过对从中已移除第一至第四氧化物膜的样本晶片进行蚀刻来在该样本晶片的表面上形成雾霭的步骤；以及用于基于雾霭来评估样本晶片的有缺陷区域的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 评估 晶片 缺陷 区域 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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