[发明专利]光传感器及其信号读出方法、以及区域式光传感器及其信号读出方法在审
| 申请号： | 201880096850.2 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN112602194A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 须川成利;黑田理人 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/353;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够维持在受光元件(PD)与浮动扩散电容器(CFD)之间设置有传送开关的以往的光传感器的优点和优势的同时比以往更高速地进行读取、并能够进一步降低消耗电力的光传感器。受光元件的半导体结部被完全耗尽，并且受光元件的电子的势能曲线朝向所述浮动扩散电容器的方向进行负的倾斜且保持着该负的倾斜的状态地与所述浮动扩散电容器的电子势阱的最上部相连。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 信号 读出 方法 以及 区域 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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