[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201880096940.1 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112889153A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括高阻硅衬底，位于高阻硅衬底上的化合物层，通过对高阻硅衬底进行局部n型离子注入、局部n型离子扩散、选区外延生长等方式，使高阻硅衬底上部形成多个n型半导体区域，消除由于化合物层中的Al、Ga原子在高阻硅衬底上部的扩散而形成的p型半导体导电区域，从而大大降低由于导电衬底带来的寄生电容，并且可以提高高阻硅衬底在高温条件下的电阻率，进而提高整个半导体结构所构成微波器件的效率和射频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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