[发明专利]有源矩阵基板的制造方法及有源矩阵基板有效
| 申请号： | 201880097155.8 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN112655038B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 齐藤贵翁;三轮昌彦;神崎庸辅;孙屹;山中雅贵;金子诚二 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/00 | 分类号： | G09F9/00;G09F9/30 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 叶乙梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在有源矩阵基板的制造方法中，形成基底无机绝缘膜的工序包括：在基底无机绝缘膜上涂布抗蚀剂的工序；通过第一灰化处理，在抗蚀剂的表面形成凹凸面的灰化处理工序；以及接着灰化处理工序，通过进行第二灰化处理和基底无机绝缘膜的蚀刻处理，使基底无机绝缘膜的表面粗面化的粗面化工序。在形成半导体膜的工序中，半导体膜的至少一部分仿照基底无机绝缘膜的粗糙面，从而对表面进行粗面化。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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