[发明专利]半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880098434.6 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN112913032A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 伊藤正尚;古桥壮之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明所涉及的半导体装置具有具备第1主面的半导体区域(40)，半导体区域(40)具备：n型柱体层(13)及p型柱体层(14)，沿着第1主面交替设置；p型的第1阱层(21)，设置于n型柱体层(13)内且n型柱体层(13)的上表面；n型的第1源极(22)层，设置于第1阱层(21)内且第1阱层的上表面；第1侧面绝缘层(35)，设置于在n型柱体层(13)和p型柱体层(14)的边界设置的第1沟槽(74)内的侧面，与第1阱层(21)及第1源极层(22)相接；第1底面绝缘层(36)，设置于第1沟槽(74)内的底面，至少一部分与p型柱体层(14)内相接；以及第1栅极电极(71)，设置于n型沟槽(13)内，隔着第1侧面绝缘层(35)与第1阱层(21)及第1源极层(22)面对，隔着第1底面绝缘层(36)与p型柱体层(14)面对。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电力 变换 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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