[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880098705.8 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112913030A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 小川嘉寿子 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备在上表面界定出元件区域(110)和包围元件区域(110)的周围的周边区域(120)的半导体基体(10)，各自具有配置于从半导体基体(10)的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面的绝缘膜(21)、以及在槽的内部配置于绝缘膜(21)之上的导电体膜(22)的多个沟槽(20)包围元件区域(110)的周围而多重配置于周边区域(120)。周边区域(120)具有靠近元件区域(110)的内侧区域(121)、以及位于内侧区域(121)的周围的外侧区域(122)，被相邻的沟槽(20)夹着的半导体基体(10)的宽度在内侧区域(121)中比外侧区域(122)更宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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