[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201880098705.8 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN112913030A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 小川嘉寿子 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 邓毅;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置具备在上表面界定出元件区域(110)和包围元件区域(110)的周围的周边区域(120)的半导体基体(10),各自具有配置于从半导体基体(10)的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面的绝缘膜(21)、以及在槽的内部配置于绝缘膜(21)之上的导电体膜(22)的多个沟槽(20)包围元件区域(110)的周围而多重配置于周边区域(120)。周边区域(120)具有靠近元件区域(110)的内侧区域(121)、以及位于内侧区域(121)的周围的外侧区域(122),被相邻的沟槽(20)夹着的半导体基体(10)的宽度在内侧区域(121)中比外侧区域(122)更宽。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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