[发明专利]传感器模块在审
申请号: | 201880098931.6 | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN112997313A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 米田裕 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/02;G03B17/02;H01L23/02;H04N5/369 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王培超;卢英日 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明在基板(1)的上表面设置有传感器芯片(5)。以使传感器芯片(5)的受光部进入投影面积内的方式将透镜(7)设置于传感器芯片(5)的上方。透镜盖(8)具有包围传感器芯片(5)并保持透镜(7)的盖主体(8a)、和从盖主体(8a)的下端部向外侧伸出的盖边缘部(8b)。紫外线固化型的粘结剂(9)将基板(1)的上表面与透镜盖(8)的下表面粘结。在盖边缘部(8b)的外侧面设置有切口(10)。粘结剂(9)进入到切口(10)。 | ||
搜索关键词: | 传感器 模块 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的