[发明专利]磁隧道结、磁电阻随机存储器、芯片及制备方法在审
| 申请号： | 201880099442.2 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN113016033A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 许俊豪;张日清;杨欢 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强;李稷芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种磁隧道结的制备方法及磁隧道结、磁电阻随机存储器，该磁隧道结包括：固定铁磁层(11)、自由铁磁层(12)以及设于所述固定铁磁层(11)和所述自由铁磁层(12)之间的磁隧道势垒(13)；通过磁隧道势垒(13)包裹自由铁磁层(12)的侧面和相对固定铁磁层(11)的表面，或，磁隧道势垒(13)包裹固定铁磁层(11)的侧面和相对所述自由铁磁层(12)的表面，更有效地隔离自由铁磁层(12)与固定铁磁层(11)，提升磁隧道结的良品率，而且，不需要用离子或等离子刻蚀的方法形成MTJ垂直的轮廓，降低制备工艺的难度及提高MTJ阵列的可微缩度。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 磁电 随机 存储器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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