[发明专利]光半导体装置以及光半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880099480.8 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN113169521A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 前原宏昭;渊田步 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/227 | 分类号： | H01S5/227;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;王培超 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的光半导体装置具备：n型第二埋入层(8)，其具有朝向脊状条带(5)的顶部伸出的部分隔开间隔地对置的电流狭窄窗(8a)的n型第二埋入层(8)；p型第二包覆层(9)，其将n型第二埋入层(8a)与电流狭窄窗(8a)一起埋入；以及衍射光栅(6)，其在光行进方向(Dr)上的中间部分配置有λ/4相移(6q)，该光半导体装置构成为电流狭窄窗(8a)的截面形状根据光行进方向(Dr)上的位置而变化，经由电流狭窄窗(8a)的从p型第二包覆层(9)向p型第一包覆层(4)的电流路径的电阻(R)在配置有λ/4相移(6q)的区域最小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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