[发明专利]接合体及半导体装置的制造方法以及接合用铜糊在审
| 申请号： | 201880099778.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN113166945A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 川名祐贵;中子伟夫;根岸征央;须镰千绘;江尻芳则;谷中勇一 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C20/04 | 分类号： | C23C20/04;H01L21/52 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄隶凡 |
| 地址： | 日本东京千代*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一形态提供一种接合体的制造方法，包括：准备依次层叠有第一构件、接合用铜糊及第二构件的层叠体的步骤；以及将接合用铜糊在受到0.1MPa～1MPa的压力的状态下予以烧结的步骤，其中，接合用铜糊含有金属粒子及分散介质，金属粒子的含量以接合用铜糊的总质量为基准，为50质量％以上，金属粒子含有以所述金属粒子的总质量为基准，为95质量％以上的次微米铜粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 半导体 装置 制造 方法 以及 用铜糊 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C20-02 .镀金属材料
C23C20-06 .镀金属材料以外的无机材料
C23C20-08 ..镀化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..镀金属
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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