[发明专利]钴前体、制备其的方法和使用其制造薄膜的方法有效
| 申请号： | 201880100332.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113242861B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 金孝淑;朴玟星;昔壮衒;朴正佑 | 申请（专利权）人： | 韩松化学株式会社 |
| 主分类号： | C07F15/06 | 分类号： | C07F15/06;C23C16/18;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 郗名悦;闫茂娟 |
| 地址： | 韩国首*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种通过气相沉积能够进行薄膜沉积的气相沉积化合物，并且更具体地涉及一种新型钴前体，其可应用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)，并显示出优异的反应性、挥发性和热稳定性；一种制备其的方法；以及使用其制造薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 钴前体 制备 方法 使用 制造 薄膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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