[发明专利]三维半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880100403.X | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN113228241A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;原田望;李伊索 | 申请（专利权）人： | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/8244;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/11;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡179098柏*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种三维半导体装置的制造方法。于半导体层(6)上形成遮罩材料层(7)。并且，形成顶部具有其具备相同平面形状的带状遮罩材料层(9a)的带状遮罩材料层(8a)。并且，形成连接带状遮罩材料层(7、8a)的两侧面而于顶部具有其具备相同平面形状的带状遮罩材料层(15a、15b)的带状遮罩材料层(12aa、12ab)。并且，形成连接带状遮罩材料层(12aa、12ab)的外侧的两侧面而于顶部具有其具备相同平面形状的带状遮罩材料层(17a、17b)的带状遮罩材料层(16a、16b)。并且，于前述带状遮罩材料层(9a)的上方朝向与俯视下前述带状遮罩材料层(9a)所延伸的方向正交的方向形成正交带状遮罩材料层。于该正交带状遮罩材料层与带状遮罩材料层(8a、16a、16b)的重叠区域通过半导体层(6)的蚀刻而形成半导体柱。并且，形成将该半导体柱作为通道的柱状半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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