[发明专利]信号隔离装置和信号隔离方法有效
申请号: | 201880100572.3 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN113261098B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 朱千明;叶文辉 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/58;H01L29/76 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请涉及半导体器件领域,并且公开了一种信号隔离装置,该信号隔离装置包括:金属氧化物半导体(MOS)器件,该MOS器件形成在P型衬底中且具有N阱;N型衬底接触,该N型衬底接触形成在该N阱上且连接到电源电压P型衬底接触,该P型衬底接触形成在该P型衬底上且连接到接地电压;至少部分围绕在该N阱周围的隔离环,该隔离环中所注入的离子的掺杂浓度比该N阱中所注入的离子的掺杂浓度或该P型衬底中所注入的离子的掺杂浓度低。由于在该N阱周围绕上了隔离环,且该隔离环的浓度比该N阱的浓度或该P型衬底的浓度低,这将降低N阱和P型衬底之间形成的PN结的结电容,提高噪声信号穿过该PN结的等效容抗,进而提高对该噪声信号的隔离效果。 | ||
搜索关键词: | 信号 隔离 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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