[其他]CMOS上的PMUT的单片集成器件有效
| 申请号： | 201890000928.1 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN211957689U | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 绍达拉潘迪安·莫罕拉吉;坎帝马翰帝·阿君库马尔 | 申请（专利权）人： | 矽特拉马来西亚有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/09 | 分类号： | H01L41/09;H01L27/20;B06B1/06;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;任晓航 |
| 地址： | 马来西*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种CMOS上的PMUT的单片集成器件，其包括作为该器件的基部的基板层(101)；介电隔层(102)，设置于基板层(101)的顶部，并位于保护层(103)的下方；电子线路，形成在介质电隔层(102)内，并由基板层(101)支撑，电子线路包括由一个或多个间隔开的金属(204)形成的多个金属层；以及至少一个微机械超声波换能器。每个微机械超声波换能器包括底部电极(301)，其设置在保护层(103)的顶部并连接到电子线路；压电体(302)设置在底部电极(301)的顶部；顶部电极(303)设置在压电体的顶部；弹性层(304)位于顶部电极(303)的顶部。在底部电极(301)下方形成有空腔(306)，其从保护层(103)延伸到介电隔层(102)的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | cmos pmut 单片 集成 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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