[发明专利]一种SiC单晶片研磨用水基研磨液及其制备方法有效
| 申请号： | 201910001883.0 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109825197B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王瑞;梁庆瑞;王含冠 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 陈曦 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种SiC单晶片研磨用水基研磨液及其制备方法，将初始研磨液置于SiC单晶片研磨装置中，并放入SiC单晶片或与SiC单晶片硬度大体一致的块状物质，进行研磨作业至满足第一条件即得水基研磨液。将本申请中的初始研磨液进行研磨处理后得到水基研磨液，利用水基研磨液对SiC单晶片双面研磨加工，晶片表面产生的损伤和划痕数量少、程度低，对后续加工工序影响低，提高抛光效率；同时该研磨液分散均匀，状态稳定，加工SiC单晶片去除率快，可循环使用，磨料寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 晶片 研磨 用水基 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC单晶片研磨用水基研磨液的制备方法，其特征在于，将初始研磨液置于SiC单晶片研磨装置中，并放入SiC单晶片或与SiC单晶片硬度大体一致的块状物质，进行研磨作业至满足第一条件即得水基研磨液。
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