[发明专利]用于测量薄膜掺杂比例的传感器、方法及装置有效
| 申请号： | 201910002529.X | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109742036B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 钱宏昌;何信儒;郭世聪;冯永山 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于测量薄膜掺杂比例的传感器、方法及装置，通过设置控制电极层、绝缘层以及导通电极层，其中，导通电极层可以包括：间隔设置的至少两个导通子电极。在衬底基板上形成掺杂有预设掺杂离子的待测量薄膜时，通过对控制电极层加载第一电压，对与待测量薄膜电连接的一个导通子电极加载第二电压，以及通过获取与待测量薄膜电连接的另一个导通子电极输出的检测信号，这样可以根据检测信号，确定待测量薄膜中预设掺杂离子的掺杂比例，从而可以实现测量薄膜中预设掺杂离子的掺杂比例的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 薄膜 掺杂 比例 传感器 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量薄膜掺杂比例的传感器，其特征在于，包括：衬底基板、依次位于所述衬底基板一侧的控制电极层、绝缘层以及导通电极层；其中，所述导通电极层包括：间隔设置的至少两个导通子电极；所述控制电极层在所述衬底基板的正投影覆盖每相邻两个所述导通子电极之间的间隙在所述衬底基板的正投影；在所述衬底基板上形成掺杂有预设掺杂离子的待测量薄膜时，所述控制电极层被配置为加载第一电压，与所述待测量薄膜电连接的一个所述导通子电极被配置为加载第二电压，与所述待测量薄膜电连接的另一个所述导通子电极被配置为输出检测信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910002529.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种显示基板线路修补方法
- 下一篇：一种测试基板及其制作方法、测试方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
