[发明专利]大面积有机半导体单晶及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910002603.8 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111394794A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 胡文平;汪涛;任晓辰;段树铭;耿博文;高雄;张静 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积有机半导体单晶及其制备方法和应用，大面积有机半导体单晶的制备方法包括以下步骤：使基底保持40～60℃的温度，在所述基底的上表面设置一刮刀，位于所述刮刀底端的刀刃与所述基底的上表面的距离为5～20微米，在刮刀和基底之间滴加浓度为1～10mg/mL的有机半导体溶液，以0.01～0.4mm/s的速度移动刮刀或基底，以使基底和刮刀发生相对移动，在所述刀刃经过的基底上得到所述大面积有机半导体单晶。本发明大面积有机半导体单晶的制备都是在室温20～25℃下进行的，避免了高温对有机半导体性能的影响。由于间距的减小使得分子受到的剪切应力大大增加，使得最终形成大面积的单晶膜。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 有机半导体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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