[发明专利]一种基于模型仿真的堆叠型晶体管优化栅偏压设置方法

摘要

本发明涉及射频集成电路技术领域，具体涉及一种基于模型仿真的堆叠型晶体管优化栅偏压设置方法，本发明将所有共栅管的漏源电压设成VDS,max，兼顾效率的考虑，输入共源管的漏源电压则由末级饱和输出及各级共栅管的增益共同确定。而要使得各个管子达到所期望的漏源电压值，就要对它们的栅极偏置电压进行优化设置。本发明的目的是使得M1管在给定VG1的前提下，与末级共栅管Mn同时进入输出饱和状态。本发明综合考虑了各种寄生效应，将VTH定义为在特定频率下，使晶体管的最大增益为0时的栅偏压。本方法具有很好的操作性，且避免了用电流的存在与否或大小数值去确定VTH所带来的较大偏差。

主权项

1.一种基于模型仿真的堆叠型晶体管优化栅偏压设置方法，其特征在于：所述设置方法包括以下步骤：S1根据应用的需要选择输入共源晶体管M1的栅极偏置电压V_G1，并通过仿真选定晶体管的V_TH，则过驱动电压V_od＝V_G1‑V_TH；S2通过仿真确定共栅管Mn的电压增益为Gn；S3通过M(n‑1)管的电压摆幅幅值计算M1管的电压摆幅幅值；S4在晶体管M1与Mn管同时达到饱和时，确定晶体管M1的漏极电压V1；S5根据选定的V_G1，基于模型仿真确定各级共栅晶体管的偏置电压并推导出取得较高效率时的电源电压V_dd；S6通过电阻分压网络分别给M1及M2‑Mn管提供所求得的栅极偏置电压。