[发明专利]一种二维材料纳米带或微米带的制备方法有效
| 申请号： | 201910003576.6 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109811307B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 杨伟煌;李华;吴丽翔;王高峰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 郑芳;王桂名 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维材料纳米带或微米带的制备方法，采用化学气相沉积法，把ST‑X切型石英作为二维材料生长的基底，二维材料在基底表面成核之后的生长受到基底各向异性的作用，最终生长成排列整齐且取向一致的纳米带或微米带。本发明所采用的基于各向异性基底的化学气相沉积法，具有低成本、装置简易、易操作、可控性好等特点；通过使用高真空热蒸发镀膜设备在源载体上预先蒸镀指定厚度三氧化钨，有效避免了直接使用三氧化钨粉末作钨源而导致的钨源空间分布不均匀情况的发生；本发明所制备的二维材料纳米带或微米带，晶畴取向可控且一致、整齐排列且覆盖率广，可用于自旋电子器件的开发及研究等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 纳米 微米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维材料纳米带或微米带的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积法，把ST‑X切型石英作为二维材料生长的基底，二维材料在基底表面成核之后的生长受到基底各向异性的作用，最终生长成排列整齐且取向一致的纳米带或微米带。
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