[发明专利]基准电压产生装置有效
| 申请号： | 201910003748.X | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN110119178B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 吉野英生 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供基准电压产生装置，抑制了相对于温度变动的基准电压的变动。基准电压产生装置具有：恒定电流电路，其包含具有第一沟道尺寸的第一MOS晶体管，该第一MOS晶体管具有第一导电型的栅电极、源区、漏区和第一沟道杂质区；以及电压生成电路，其包含具有与第一沟道尺寸不同的第二沟道尺寸的第二MOS晶体管，该第二MOS晶体管具有第二导电型的栅电极、与第一导电型的源区、漏区和与第一沟道杂质区不同的杂质浓度的第二沟道杂质区。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 产生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基准电压产生装置，其具有：恒定电流电路，其针对输入电压输出恒定电流；以及电压生成电路，其生成基于所述恒定电流的电压，该基准电压产生装置的特征在于，所述恒定电流电路包含具有第一沟道尺寸的第一MOS晶体管，该第一MOS晶体管具有第一导电型的第一栅电极、第一导电型的第一源区、第一导电型的第一漏区和第一导电型的第一沟道杂质区，所述电压生成电路包含具有第二沟道尺寸的第二MOS晶体管，该第二MOS晶体管具有第二导电型的第二栅电极、第一导电型的第二源区、第一导电型的第二漏区和第一导电型的第二沟道杂质区，所述第一沟道尺寸与所述第二沟道尺寸不同，所述第一沟道杂质区的杂质浓度与所述第二沟道杂质区的杂质浓度不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾普凌科有限公司，未经艾普凌科有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910003748.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
