[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制作方法在审
申请号: | 201910003899.5 | 申请日: | 2019-01-03 |
公开(公告)号: | CN109755365A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 颜才满;徐亮;李宗涛;丁鑫锐;郑洪仿;黄经发 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种垂直结构LED芯片,包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层,所述第二衬底设有凹部和凸部,凸部的表面高于凹部的表面,所述键合层包括中心键合层和边缘键合层,所述中心键合层设置在第二衬底的凹部,所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部,刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上,刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上,所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。相应地,本发明还提供了一种垂直结构LED芯片的制作方法。本发明的芯片,翘曲度低,良率和稳定性高。 | ||
搜索关键词: | 绝缘层 衬底 垂直结构LED芯片 刻蚀阻挡层 边缘键合 中心键合 电极层 外延层 凹部 凸部 背面金属层 电流扩散层 依次设置 反射层 键合层 翘曲度 良率 制作 芯片 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种垂直结构LED芯片,其特征在于,包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层,所述第二衬底设有凹部和凸部,凸部的表面高于凹部的表面,所述键合层包括中心键合层和边缘键合层,所述中心键合层设置在第二衬底的凹部,所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部,刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上,刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上,所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司,未经佛山市国星半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910003899.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型氮化物发光二极管
- 下一篇:元件基板