[发明专利]基于功能化聚噻吩类的人工突触器件及制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种基于功能化聚噻吩类导电聚合物的人工突触两端器件及制备方法和应用。其制备方法是在功能化噻吩单体的溶液中采用电化学聚合的方法在电极表面生成薄膜作为人工突触器件的功能层，然后在功能层薄膜上面热蒸发一层导体作为上电极，形成三明治的器件结构。其中所述电极为金、银、铜、铝、铟锡氧化物等导体。本发明所制备的人工突触器件能够实现生物突触相似的功能，具有低功耗，响应快等优点。其制备方法操作步骤简单，成本低，易于实施，并且安全、环保。

主权项

1.一种基于功能化聚噻吩类导电聚合物的人工突触器件的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：步骤1：对下电极进行清洗将下电极放入去离子水中超声1～3分钟，然后放入丙酮溶液中超声1～3分钟，再放入异丙醇中超声1～3分钟，最后将下电极放入真空干燥箱中干燥；步骤2：制备电聚合溶液将功能化噻吩单体与高氯酸锂溶于乙腈或二氯甲烷中；其中，高氯酸锂的浓度为0.05～1mol/L，功能化噻吩单体浓度为0.001～0.1mol/L；步骤3：导电聚合物薄膜的生长取步骤2制得的溶液放入烧杯中，采用三电极体系，下电极作为工作电极，AgCl/Ag参比电极、Pt丝作为对电极，采用循环伏安法，扫描电位范围为‑0.05V到1.6V，进行功能化聚噻吩类导电聚合物薄膜的生长；步骤4：制备人工突触器件在步骤3所制得的导电聚合物薄膜上热蒸镀一层导体作为上电极，制得所述的人工突触器件；其中：所述功能化聚噻吩具有如下的分子结构：其中R＝H；或m为0～6；n为100～100000；所述上、下电极为导体；所述导电聚合物薄膜的厚度为1纳米至100微米。