[发明专利]基于隧穿氧化层的键合硅PIN辐射响应探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于隧穿氧化层的键合硅PIN辐射响应探测器及其制备方法。该探测器包括键合在一起的探测层硅片和收集层硅片，以及二者之间的超薄二氧化硅层，其中：所述探测层硅片的正面有掺杂形成的P+区，所述P+区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层，所述P+区上面覆盖有薄金属层，该薄金属层边缘具有场板结构；所述收集层硅片的背面全部为掺杂形成的N+区；所述N+区表面覆盖有厚金属层。本发明的辐射响应探测器可用于核辐射领域的超快响应测量，在辐射防护、空间监测等领域有着重要应用。

主权项

1.一种基于隧穿氧化层的键合硅PIN辐射响应探测器，包括键合在一起的探测层硅片和收集层硅片，以及二者之间的超薄二氧化硅层，探测层硅片用于键合的表面为探测层硅片的背面。其中：所述探测层硅片的正面有掺杂形成的P⁺区，在所述探测层硅片的正面除P⁺区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层；所述收集层硅片的背面区域为掺杂形成的N⁺区。