[发明专利]包括存储器的集成电路构造及用于形成其的方法

摘要

本申请案涉及包括存储器的集成电路构造及用于形成其的方法。包括存储器的集成电路构造包括两个存储器单元阵列区域，所述两个存储器单元阵列区域在垂直横截面中具有横向地在其间的外围电路区域。所述两个存储器单元阵列区域个别地包括多个电容器，所述电容器个别地包括电容器存储节点电极、由所述多个电容器共享的共享电容器电极及所述电容器存储节点电极与所述共享电容器电极之间的电容器绝缘体。横向延伸绝缘体结构在所述垂直横截面中围绕所述电容器存储节点电极的横向外围且与所述电容器存储节点电极的个别者的顶部及底部垂直间隔开。

主权项

1.一种用于形成包括存储器的集成电路的方法，所述方法包括：在衬底上形成牺牲材料且在所述牺牲材料中提供横向延伸绝缘体结构，所述绝缘体结构在垂直横截面中与所述牺牲材料的顶部及底部垂直间隔开；从所述牺牲材料及所述绝缘体结构在所述垂直横截面中的两个横向外部分之间横向去除至少一些所述牺牲材料及所述绝缘体结构以在所述垂直横截面中包括所述牺牲材料及所述绝缘体结构的两个横向外区域之间横向形成横向中间区域；在所述横向中间区域中形成一对竖向延伸壁，所述对壁在所述垂直横截面中个别地抵靠所述两个横向外区域中的不同者中的所述牺牲材料的横向侧，所述牺牲材料包括一种组分且所述对壁包含与所述种组分不同的另一组分，所述另一组分是绝缘的；在形成所述壁之后，在所述两个横向外区域中的每一者中形成到所述牺牲材料中且穿过所述绝缘体结构的竖向延伸开口，且在所述两个横向外区域中的每一者中的所述开口中形成电容器存储节点电极；及在形成所述电容器存储节点电极之后，从所述两个横向外区域中的每一者去除至少一些所述牺牲材料且接着在所述两个横向外区域中的每一者中的所述电容器存储节点电极上形成电容器绝缘体及共享电容器电极以在所述两个横向外区域中的每一者中形成多个电容器。