[发明专利]平坦化方法

摘要

提供平坦化方法，能够避免SiC锭的剥离面的过量磨削从而缩短磨削时间。平坦化方法包含如下的工序：磨削工序，将SiC锭(2)的与剥离面(58)相反的一侧保持于可旋转的卡盘工作台(62)，使具有呈环状配设的多个磨削磨具(74)的磨轮(72)进行旋转而对保持于卡盘工作台(62)的SiC锭(2)的剥离面(58)进行磨削；以及平坦度检测工序，向从磨轮(72)露出的SiC锭(2)的剥离面(58)照射光并对反射光进行检测，从而检测平坦的程度。在通过平坦度检测工序检测为SiC锭(2)的剥离面(58)平坦时，结束磨削工序。

主权项

1.一种平坦化方法，将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于从SiC锭的端面起的与待生成的晶片对应的深度并向SiC锭照射激光光线，形成使SiC分离成Si和C并且在c面各向同性地产生了裂纹的剥离层，在利用该剥离层将晶片从SiC锭剥离之后，对SiC锭的剥离面进行平坦化，其中，该平坦化方法包含如下的工序：磨削工序，将SiC锭的与该剥离面相反的一侧保持于可旋转的卡盘工作台，使具有呈环状配设的多个磨削磨具的磨轮进行旋转而对保持于该卡盘工作台的SiC锭的该剥离面进行磨削；以及平坦度检测工序，向从该磨轮露出的SiC锭的该剥离面照射光并对反射光进行检测，从而检测平坦的程度，在通过该平坦度检测工序检测为SiC锭的该剥离面平坦时，结束该磨削工序。