[发明专利]一种高温稳定掺杂的无损石墨烯复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910007631.9 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN109607523B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 张娟娟;王春雷;熊杰;郭成坤 | 申请（专利权）人： | 常州第六元素半导体有限公司;无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194;C09J201/00;C09J11/00 |
| 代理公司： | 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 | 代理人： | 肖淑芳 |
| 地址： | 213100 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高温稳定掺杂的无损石墨烯复合薄膜及其制备方法，包括：在生长基底上的掺杂石墨烯面和/或目标基底表面形成结合层；将石墨烯与目标基底贴合并固化结合层；分离生长基底，得到石墨烯/结合层/目标基底复合膜。本发明提供的高温稳定掺杂的无损石墨烯复合薄膜方阻低、热稳定性能好，在转移石墨烯的过程中，方法简单，使石墨烯受到的伤害小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 稳定 掺杂 无损 石墨 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高温稳定掺杂的无损石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在生长基底上的石墨烯面和/或目标基底表面形成结合层；将石墨烯与目标基底贴合并固化结合层，得到生长基底/石墨烯/结合层/目标基底；分离生长基底，得到石墨烯/结合层/目标基底复合膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州第六元素半导体有限公司;无锡格菲电子薄膜科技有限公司，未经常州第六元素半导体有限公司;无锡格菲电子薄膜科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910007631.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
