[发明专利]一种有机发光显示面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910008306.4 申请日: 2019-01-04
公开(公告)号: CN109686774B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 高宇鹏;王利忠;赵磊;杜建华;强朝辉;李超;刘松;李士佩;王治 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 夏东栋;崔家源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开公开了一种有机发光显示面板及其制造方法。有机发光显示面板包括:基板;在基板上形成的PIN二极管的第一电极;在形成有第一电极的基板上形成的PIN二极管和遮光层,PIN二极管设置在PIN用薄膜晶体管(TFT)区域内且其P型区、本征区和N型区三者沿着横向依次设置,且P型区和N型区通过对PIN用TFT区域的非晶硅进行离子注入而形成,遮光层由所述显示用TFT区域的非晶硅进行图形化处理而构成;在遮光层上形成的显示用TFT;以及在PIN二极管上形成的PIN用TFT。本公开所公开的有机发光显示面板及其制造方法经由PIN二极管的横向设置和非晶硅兼做遮光层,节省了内部空间,能够避免由于采用嵌入指纹识别电路而导致像素密度降低的问题,且掩膜工序少,成本较低。
搜索关键词: 一种 有机 发光 显示 面板 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板包括:基板;在所述基板上形成的PIN二极管的第一电极;在形成有第一电极的基板上形成的PIN二极管和遮光层,所述PIN二极管设置在PIN用薄膜晶体管(TFT)区域内且其P型区、本征区和N型区三者沿着横向依次设置,且该PIN二极管的P型区和N型区通过对所述PIN用TFT区域的非晶硅进行离子注入而形成,所述遮光层由所述显示用TFT区域的非晶硅进行图形化处理而构成;在所述遮光层上形成的显示用TFT;以及在所述PIN二极管上形成的PIN用TFT。
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