[发明专利]一种常温制备高质量钙钛矿薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910011336.0 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109802044A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张青红;张歆;李耀刚;王宏志;侯成义 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种常温制备高质量钙钛矿薄膜的方法，包括：(1)配制钙钛矿前驱体溶液；(2)将钙钛矿前驱体溶液旋涂在预处理后的导电基底上，在旋涂结束前滴加反溶剂，得到中间相薄膜；(3)将中间相薄膜超声振荡处理，得到高质量钙钛矿薄膜。本发明方法可在室温下制备得到具有纯净钙钛矿相、大晶粒尺寸、光滑均匀的高质量钙钛矿薄膜，有望应用于不耐高温的柔性基底加工成柔性器件。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿薄膜 前驱体溶液 常温制备 钙钛矿 旋涂 预处理 薄膜超声 钙钛矿相 柔性基底 柔性器件 大晶粒 导电基 反溶剂 振荡 滴加 光滑 制备 薄膜 配制 加工 应用 | ||
【主权项】：
1.一种常温制备高质量钙钛矿薄膜的方法，包括：(1)将供体A和供体B混合，加入至溶剂C中，搅拌得到浓度为1～1.5M的钙钛矿前驱体溶液；其中供体A和供体B的摩尔比为1:1～2；(2)将步骤(1)制得的钙钛矿前驱体溶液旋涂在预处理后的导电基底上，在旋涂结束前5～10s内滴加反溶剂，得到中间相薄膜；其中钙钛矿前驱体溶液和反溶剂的体积比为1:1～3；(3)将步骤(2)制得的中间相薄膜超声振荡处理，得到高质量钙钛矿薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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