[发明专利]基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器有效
| 申请号： | 201910011383.5 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109682866B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 周文利;朱宇;陈昌盛;吴硕;程润虹;王耘波;高俊雄 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于传感器技术领域，更具体地，涉及一种基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器。该传感器按结构分为碳纳米管二端气敏传感器和三端气敏传感器。碳纳米管二端气敏传感器自下而上包括：衬底、薄膜电极和磷钼酸分子修饰的碳纳米管；其中薄膜电极位于衬底表面；磷钼酸分子修饰的碳纳米管架设在薄膜电极之间作为气敏传感器敏感元件。在上述衬底表面和薄膜电极之间另外自下而上依次设置有栅极和栅介质层，形成基于场效应的碳纳米管三端气敏传感器。通过采用磷钼酸分子对碳纳米管进行修饰制作气敏传感器，通过气体分子与磷钼酸分子之间高效地电子转移，显著地改变气体敏感元件的电阻，进而提高了气敏传感器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 钼酸 分子 修饰 纳米 管气敏 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器，其特征在于，该传感器采用磷钼酸分子修饰的碳纳米管作为气敏传感器敏感元件，磷钼酸分子以堆积颗粒状吸附在所述碳纳米管表面；该传感器工作时，具有氧化还原特性的磷钼酸分子与气体分子发生氧化还原反应，氧化还原反应使得气体分子与磷钼酸分子之间发生电子转移，改变所述气敏传感器敏感元件的电阻，提高气敏传感器的灵敏度。
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