[发明专利]一种稳压电路在审
| 申请号： | 201910012846.X | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109710022A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王昕宇 | 申请（专利权）人： | 上海奥令科电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种稳压电路，包括：双极型晶体管Q1、Q2、Q3；PMOS晶体管M30、M31、M32、M33；NMOS晶体管M40、M41；电阻R1、R2、R3、R4、R41；运算放大器A1，缓冲器B1、B2；电容Cc。本发明采用了带隙原理，实现了输出电压与环境温度无关。另外，采用了低输出阻抗单位增益缓冲器输入至双极型晶体管的基极，提高了输出电压的整体稳定性，同时具有较高的PSRR。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型晶体管 输出电压 稳压电路 缓冲器 单位增益缓冲器 低输出阻抗 运算放大器 整体稳定性 温度无关 电容 带隙 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种稳压电路，其特征在于，包括：双极型晶体管Q1、双极型晶体管Q2、双极型晶体管Q3；PMOS晶体管M30、PMOS晶体管M31、PMOS晶体管M32、PMOS晶体管M33；NMOS晶体管M40、NMOS晶体管M41；电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R41；运算放大器A1，缓冲器B1、缓冲器B2；电容Cc；其中，PMOS晶体管M30、PMOS晶体管M31、PMOS晶体管M32、PMOS晶体管M33的源极连接电源VDD端，PMOS晶体管M30的栅极分别连接PMOS晶体管M31、PMOS晶体管M32、PMOS晶体管M33的栅极；PMOS晶体管M30的漏极分别连接双极型晶体管Q1的发射极和电阻R1的一端，电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端和缓冲器B1的输入端，缓冲器B1的输出端连接双极型晶体管Q1、双极型晶体管Q2的基极；电阻R2的另一端和双极型晶体管Q1的集电极接地；PMOS晶体管M31的漏极分别连接双极型晶体管Q2的发射极和运算放大器A1的反相输入端，双极型晶体管Q2的集电极接地；运算放大器A1的输出端连接PMOS晶体管M31的栅极；运算放大器A1的正相输入端连接NMOS晶体管M41的栅极；NMOS晶体管M40的漏极连接PMOS晶体管M32的栅极；NMOS晶体管M40的栅极分别连接电阻R41的一端和NMOS晶体管M41的漏极，NMOS晶体管M40的源极接地；PMOS晶体管M32的漏极连接双极型晶体管Q3的发射极，双极型晶体管Q3的基极连接缓冲器B2的输出端，双极型晶体管Q3的集电极接地；电阻R41的一端连接电源VDD端，另一端连接NMOS晶体管M41的漏极；NMOS晶体管M41的源极接地；电容Cc的一端连接电源VDD端，另一端连接PMOS晶体管M33的栅极；PMOS晶体管M33的源极连接电源VDD端，漏极连接电阻R3的一端，并作为稳压电路的输出端；电阻R3的另一端连接缓冲器B2的输入端和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海奥令科电子科技有限公司，未经上海奥令科电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910012846.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
