[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910012911.9 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109786522B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的低温GaN层、高温GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、以及P型掺杂GaN层，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括层叠的InGaN阱层和复合垒层，所述复合垒层包括超晶格子层，所述超晶格子层为AlInN子层和GaN子层周期性交替生长的超晶格结构，所述电子阻挡层为AlGaN电子阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的低温GaN层、高温GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、以及P型掺杂GaN层，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括层叠的InGaN阱层和复合垒层，所述复合垒层包括超晶格子层，所述超晶格子层为AlInN子层和GaN子层周期性交替生长的超晶格结构，所述电子阻挡层为AlGaN电子阻挡层。
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