[发明专利]高线性度低噪声放大器在审
| 申请号： | 201910013093.4 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109743027A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 李振荣;王泽渊;段艺明;刘爽;李臻;庄奕琪 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/56;H03F3/21;H03F3/24;H03G3/30 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;张问芬 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高线性度低噪声放大器电路，主要解决现有技术线性度较差的问题。其包括：第一级放大电路A1、第二级放大电路A2，两级电路之间采用电容C1耦合。第一级放大电路A1主要由两个NPN双极型晶体管Q1、Q2构成的共射共基结构以及第一负载阻抗网络Z1和第一偏置电阻R1组成，第二级放大电路A2主要由两个NMOS管M1、M2构成的共源共栅结构以及第二负载阻抗网络Z2和第二偏置电阻R2组成。本发明与传统的双极型晶体管级联结构低噪声放大器相比，由于级联电路结构不同所产生的三阶非线性项大小不同，可获得更高的输入三阶截取点，有效改善了低噪声放大器的线性度，可用于无线通信接收机前端芯片中。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 第二级放大电路 负载阻抗网络 放大电路 高线性度 偏置电阻 第一级 低噪声放大器电路 无线通信接收机 共射共基结构 共源共栅结构 双极型晶体管 三阶非线性 级联电路 级联结构 技术线性 两级电路 前端芯片 耦合 电容 传统的 线性度 截取 可用 三阶 | ||
【主权项】：
1.一种高线性度低噪声放大器，包括第一级放大电路A1、第二级放大电路A2，两级电路之间采用电容C1耦合，其特征在于：所述第一级放大电路A1，包括：两个NPN双极型晶体管Q1、Q2、第一负载阻抗网络Z1、第一偏置电阻R1；该第一双极型晶体管Q1，其基极通过第一偏置电阻R1连接到偏置电压VB1，其发射极接地GND，其集电极与第二双极型晶体管Q2的发射极相接；该第二双极型晶体管Q2，其基极接电源VDD，其集电极通过第一负载阻抗网络Z1连接到电源VDD，这两个NPN双极型晶体管Q1、Q2构成共射共基结构，用于对来自天线的输入信号进行放大；所述第二级放大电路A2，包括：两个NMOS管M1、M2、第二负载阻抗网络Z2、第二偏置电阻R2；该第一NMOS管M1，其源极接地GND，栅极通过第二偏置电阻R2连接到偏置电压VB2，漏极与第二NMOS管M2的源极相接；该第二NMOS管M2，其栅极接电源VDD，漏极通过第二负载阻抗网络Z2连接到电源VDD，这两个NMOS管M1、M2构成共源共栅结构，用于对第一级A1的输出信号进行放大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910013093.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
