[发明专利]一种用于控制中子自旋的翻转线圈有效

专利信息
申请号: 201910014053.1 申请日: 2019-01-08
公开(公告)号: CN109521461B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 王燕;孙光爱;王宗悦;庞蓓蓓;潘建;王云;李新喜 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
主分类号: G01T3/00 分类号: G01T3/00
代理公司: 中国工程物理研究院专利中心 51210 代理人: 翟长明;韩志英
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种用于控制中子自旋的翻转线圈。翻转线圈包括两个以中心轴对称并相隔一定缝隙的子线圈,通过设计子线圈电流通路结构形成一定的电流分布,每个子线圈产生的磁场在空间叠加,形成一个垂直于线圈表面分量远小于平行于线圈表面分量的磁场,该磁场能够控制中子自旋翻转90度或180度。本发明的用于控制中子自旋的翻转线圈通过直流电驱动,磁场性能稳定;使用材料为铝材,中子穿透率高;垂直方向和水平方向磁场比值小,中子的翻转率高;可使用电火花方法加工,加工方法简易,工艺可靠。
搜索关键词: 一种 用于 控制 中子 自旋 翻转 线圈
【主权项】:
1.一种用于控制中子自旋的翻转线圈,其特征在于:所述的翻转线圈包括盖板(1)、T形块(2)、线圈(3)、绝缘片(4)、背板(5)和螺钉(6);所述的线圈(3)包括两个对称分布的平板型子线圈,子线圈中间的缝隙宽度为a,子线圈上下两端的缝隙宽度为b,a和b的大小通过T形块(2)来调控;子线圈的厚度为d,缝隙a对应的子线圈位置上留有中子穿过区,中子穿过区的长度大于中子束斑,中子穿过区的厚度为1/3d;所述线圈(3)的子线圈上切割有贯穿子线圈厚度的缝隙,在子线圈上形成了三条宽度相同、电流方向一致的电流通路A、电流通路B和电流通路C,电流通路A、电流通路B和电流通路C的电流密度比值为1:2:3;子线圈上还有三个接线孔,第一个接线孔位于电流通路A的首端并接电源的正极,第二个接线孔位于电流通路B的首端并接电源的正极,第三个接线孔位于电流通路C的末端并接电源的负极;所述的线圈(3)通过四个盖板(1)压紧固定在背板(5)的凹槽内;所述的线圈(3)与背板(5)之间有两块绝缘片(4),用于线圈(3)和背板(5)之间的绝缘;螺钉(6)位于盖板(1)边缘,螺钉(6)贯穿盖板(1)固定在背板(5)的边缘上。
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